Data publikacji: 19.03.2014
Oryginalny tytuł wiadomości prasowej: Samsung Electronics prezentuje czterogigabajtowe kości DDR3 w technologii 20 nanometrów
Kategoria: nowe produkty, usługi, technologie
Samsung Electronics,
Samsung Electronics, światowy lider technologii pamięci, ogłosiła rozpoczęcie masowej produkcji najnowocześniejszej pamięci DDR3 wykonanej w procesie technologicznym 20 nanometrów. Nowa pamięć powstała z myślą o zastosowaniu w szerokim spectrum urządzeń elektronicznych.
Wprowadzając na rynek swoje nowe pamięci DRAM DDR3 o pojemności 4Gb, firma Samsung przekroczyła kolejną barierę w redukcji rozmiarów kości DRAM. Komórki pamięci produkowane są w technologii 20 nm przy wykorzystaniu powszechnie dostępnej litografii immersyjnej z użyciem laserów ArF.
Miniaturyzacja komórek pamięci DRAM jest trudniejsza niż w wypadku pamięci NAND Flash. Pierwsze z nich składają się z połączonych ze sobą kondensatora i tranzystora, natomiast w przypadku NAND Flash komórka zawiera jedynie tranzystor. Aby osiągnąć obecny poziom miniaturyzacji, firma Samsung dopracowała swoje technologie projektowania i wytwarzania, wprowadzając zmodyfikowane techniki podwójnego naświetlania i osadzania warstw atomowych.
Nowa technologia podwójnego naświetlania firmy Samsung to kolejny etap w rozwoju, który umożliwia produkcję kości DDR3 w procesie 20 nm z wykorzystaniem standardowego obecnie sprzętu do fotolitografii. Stanowi ona również kluczowy element zestawu technologii potrzebnych do produkcji przyszłej generacji pamięci DRAM w procesie klasy 10 nm. Sukcesem firmy Samsung jest także wyprodukowanie ultra cienkich warstw dielektrycznych jednorodnych komórek kondensatorowych, co zaowocowało zwiększeniem wydajności.
1 / 3
Dzięki wykorzystaniu nowych technologii do wytwarzania kości DDR3 w procesie 20 nm, układy te produkowane są o ponad trzydzieści procent szybciej w porównaniu z poprzednią pamięcią DDR3 wykonywaną w procesie 25 nm i ponad dwukrotnie szybciej w porównaniu ze starszymi modułami DDR3 wytwarzanymi w klasie 30 nm*.
Co więcej, moduły pamięci oparte na nowych kościach 4Gb zużywają do dwudziestu pięciu procent mniej energii niż odpowiadające im objętością moduły oparte na starszej technologii 25 nm. W oparciu o to usprawnienie firma Samsung dostarcza międzynarodowym przedsiębiorstwom najnowocześniejsze, a przy tym także ekologiczne rozwiązania z dziedziny komputeryzacji.
Według danych zgromadzonych przez analityków rynku z firmy Gartner, wartość światowego rynku pamięci DRAM w 2013 roku wynosiła 35,6 miliardów USD i wzrośnie do 37,9 miliardów USD w roku 2014.
* Informacja dla dziennikarzy: Proces klasy 10 nm oznacza proces, w którym tranzystor ma wielkość od 10 do 20 nanometrów. Podobnie proces klasy 30 nm oznacza wielkość od 30 do 40 nanometrów.
źródło: Biuro Prasowe Samsung Electronics Polska Sp. z o.o.
Załączniki:
Hashtagi: #nowe produkty, usługi #technologie
